Triode/MOS tube/transistor/module
CRMICRO (China Resources Micro)
İstehsalçılar
GOFORD (valley peak)
İstehsalçılar
N-channel, 100V, 2A, 180mΩ@10V
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
NPN,Vceo=60V,Ic=1A
Təsvir
Tokmas (Tokmas)
İstehsalçılar
ElecSuper (Jingxin Micro)
İstehsalçılar
LRC (Leshan Radio)
İstehsalçılar
P-channel, 20V, 1.4A, 480mΩ@4.5V
Təsvir
CRMICRO (China Resources Micro)
İstehsalçılar
Low-voltage MOSFET power supply, energy storage power supply, UPS, Vds=150V Id=135A Rds=6.2mΩ (7.3mΩ max) TO-220encapsulation
Təsvir
MOT (Renmao)
İstehsalçılar
Collector-base reverse breakdown voltage-40V, collector-emitter reverse breakdown voltage-40V, collector current IC-200mA,
Təsvir
ElecSuper (Jingxin Micro)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
HL (Howlin)
İstehsalçılar
Convert Semiconductor
İstehsalçılar
Convert Semiconductor
İstehsalçılar
TI (Texas Instruments)
İstehsalçılar
ULQ2003A-Q1 Automotive High Voltage, High Current Darlington Transistor Array
Təsvir
JF (Gifford)
İstehsalçılar
Hottech (Heketai)
İstehsalçılar
AGM-Semi (core control source)
İstehsalçılar
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 52A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,15A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 70nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.55nF@30V, Vds=60V Id=52A Rds=18mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Təsvir
UTC(Youshun)
İstehsalçılar
N-channel, 500V, 14A
Təsvir
JJW (Jiejiewei)
İstehsalçılar
P-channel, -30V, -4.2A
Təsvir