Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
Təsvir
CET (Huarui)
İstehsalçılar
N-channel, 25V, 60A, 9mΩ@10V
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 80 A, 3.8 mΩ
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
LRC (Leshan Radio)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
LRC (Leshan Radio)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
PUOLOP (Dipu)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
TWGMC (Taiwan Dijia)
İstehsalçılar
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
Təsvir
Potens (Bosheng Semiconductor)
İstehsalçılar
P-channel, -30V, -7A
Təsvir
Wuxi Unisplendour
İstehsalçılar
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar