Triode/MOS tube/transistor/module
HUASHUO (Huashuo)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
UTC(Youshun)
İstehsalçılar
PNP, Vceo=-50V, Ic=-150mA, hfe=200~400
Təsvir
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
PNP Vceo=-50V Ic=-2A PC=1.5W switching transistor
Təsvir
MSKSEMI (Mesenco)
İstehsalçılar
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 65V Collector Current (Ic): 100mA Power (Pd): 200mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@100mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 110@2mA, 5V Characteristic frequency (fT): 100MHz Operating temperature: +150℃@(Tj) BC846AW-F2-0000HF
Təsvir
CET (Huarui)
İstehsalçılar
P-channel, -30V, -3.1A, 80mΩ@-10V
Təsvir
KY (Han Kyung Won)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
Crystal Conductor Microelectronics
İstehsalçılar
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
İstehsalçılar
SY (Shunye)
İstehsalçılar
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V Collector Current (Ic): 3A Power (Pd): 500mW
Təsvir
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
WINSOK (Weishuo)
İstehsalçılar
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 50 VGS(th)(v) 1.8 RDS(ON)(m?)@4.475V 23 Qg(nC)@4.5V 28 QgS(nC) 3.5 Qgd(nC) 6.5 Ciss(pF) 1680 Coss(pF) 115 Crss(pF) 85
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
WEIDA (Weida)
İstehsalçılar
LONTEN (Longteng Semiconductor)
İstehsalçılar