Triode/MOS tube/transistor/module
MOSFET Type N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 40 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 5.7/7.5 Continuous Drain Current ID (A) 40
Təsvir
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
PANJIT (Qiangmao)
İstehsalçılar
HUAYI (Hua Yi Wei)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
XCH (Xu Changhui)
İstehsalçılar
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.4-1.0V,
Təsvir
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
N-channel, 60V, 0.2A, 6Ω@4.5V
Təsvir
Pre-biased NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
PJSEMI (flat crystal micro)
İstehsalçılar
Transistor type: NPN, collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 50V collector current (Ic): 100mA R1=2.2K R2=47K
Təsvir
China Resources Huajing
İstehsalçılar
YANGJIE (Yang Jie)
İstehsalçılar
YONGYUTAI (Yongyutai)
İstehsalçılar
JJW (Jiejiewei)
İstehsalçılar
Bidirectional 8A, 600V, same as BTA08-600.
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
Wayon (Shanghai Wei'an)
İstehsalçılar
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar