Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
MSKSEMI (Mesenco)
İstehsalçılar
Transistor Type: PNP Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V Collector Current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 700mV@500mA, 50mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 250@100mA, 1V Characteristic frequency (fT): 100MHz Operating temperature: +150℃@(Tj)
Təsvir
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=50V, Ic=3A
Təsvir
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
YONGYUTAI (Yongyutai)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
SINO-IC (Coslight Core)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
TECH PUBLIC (Taizhou)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
MSKSEMI (Mesenco)
İstehsalçılar
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): -30V Continuous Drain Current (Id): -3A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@-10V, -2A threshold voltage Vgs(th)@Id): -1.0V to -2.5V@250uA
Təsvir
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
TOSHIBA (Toshiba)
İstehsalçılar
RF application, N channel, 30V, 1A
Təsvir
BORN (Born Semiconductor)
İstehsalçılar
ransistors, NPN 180V 600mA 300mW HFE=100~300, SOT-23
Təsvir
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
PIP (Li Jun)
İstehsalçılar
PIP (Li Jun)
İstehsalçılar