Triode/MOS tube/transistor/module
HUAYI (Hua Yi Wei)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
KY (Han Kyung Won)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=20V, Ic=5mA, hfe=340~600
Təsvir
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
LRC (Leshan Radio)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
N-channel, 100V, 57A, 25mΩ@10V
Təsvir
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
UTC(Youshun)
İstehsalçılar
PNP, Vceo=45V, Ic=100mA
Təsvir
Wuxi Unisplendour
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
Gem-micro (crystal group)
İstehsalçılar
Wuxi Unisplendour
İstehsalçılar
MSKSEMI (Mesenco)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This single N-channel MOSFET is designed on an advanced Power Trench process to optimize RDS(ON) at VGS = 2.5V.
Təsvir
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
İstehsalçılar