Triode/MOS tube/transistor/module
SINO-IC (Coslight Core)
İstehsalçılar
PJSEMI (flat crystal micro)
İstehsalçılar
P channel -50V -0.13A
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
N-channel 20V 238mA
Təsvir
WINSOK (Weishuo)
İstehsalçılar
Dual N-channel.20V.7.5A.15.5mΩ
Təsvir
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
N-channel, 60V, 100A, 5.6mΩ@10V
Təsvir
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
N-channel, 60V, 100A, 5.6mΩ@10V
Təsvir
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
N channel + P channel
Təsvir
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=100V, Ic=6A
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
MOT (Renmao)
İstehsalçılar
Voltage VDSS20V, conduction resistance Rds8 milliohms, current ID50A
Təsvir
NCE (Wuxi New Clean Energy)
İstehsalçılar
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This N-channel JFET device is suitable for high frequency amplifiers and oscillators.
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This N-channel JFET device is suitable for high frequency amplifiers and oscillators.
Təsvir
MOSFET Type N+P Drain-Source Voltage (Vdss) (V) -30 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 1-3 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 17/21.5 Continuous Drain Current ID (A) 7.6
Təsvir
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar