Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
DELTAMOS (Dunwei)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
TI (Texas Instruments)
İstehsalçılar
CSD17305Q5A 30V, N-Channel NexFET MOSFET™, Single SON5x6, 3.6mΩ
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
GOFORD (valley peak)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
Hottech (Heketai)
İstehsalçılar
AGM-Semi (core control source)
İstehsalçılar
LGE (Lu Guang)
İstehsalçılar
MSKSEMI (Mesenco)
İstehsalçılar
Triode Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V Collector Current (Ic): 1.5A Power (Pd): 500mW DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@100mA, 1V 200-350 NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
VISHAY (Vishay)
İstehsalçılar
N-channel, 30V, 35A, 8mΩ@4.5V
Təsvir
GOFORD (valley peak)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This is a -60 V, P-channel MOSFET in a SOT-223 encapsulation. The device is very rugged and has a large safe operating area.
Təsvir
UTC(Youshun)
İstehsalçılar
NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar