onsemi (Ansemi) 1N5817G 20V 1A 750mV@3A 20V, 1.0A, Schottky diode

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

1N5817G

20V 1A 750mV@3A 20V, 1.0A, Schottky diode

Hissə nömrəsi

1N5817G

Kateqoriya

diode > Schottky diode

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

DO-41

Qablaşdırma

bagged

Paketlərin sayı

1000

Təsvir

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 52471 PCS

Əlaqə məlumatı