onsemi (Ansemi) 1N5821G 30V 3A 900mV@9.4A Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

1N5821G

30V 3A [email protected] Schottky Barrier Rectifier, 3.0 A, 30 V

Hissə nömrəsi

1N5821G

Kateqoriya

Diodes > General Purpose Diodes

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

DO-27

Qablaşdırma

boxed

Paketlərin sayı

500

Təsvir

The Schottky rectifier uses the Schottky barrier principle and uses a large area metal-silicon power diode. The advanced geometry of this Schottky rectifier features chromium barrier metal, epitaxial structure with oxide passivation, and metal-covered contacts. The rectifier is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 87274 PCS

Əlaqə məlumatı