HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics) 2SC3356 NPN 11V 50mA

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

2SC3356

NPN 11V 50mA

Hissə nömrəsi

2SC3356

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)

İstehsalçı/Brend

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

İnkapsulyasiya

SOT-23

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 11V Collector Current (Ic): 50mA Power (Pd): 200mW Collector Cutoff Current (Icbo): 50nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@10mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 82@5mA, 10V Characteristic frequency (fT): 3.2GHz Operating temperature: +150℃@(Tj)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 77961 PCS

Əlaqə məlumatı