onsemi (Ansemi) FDG6332C 20V N&P Channel Power Trench MOSFETs

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

FDG6332C

20V N&P Channel Power Trench MOSFETs

Hissə nömrəsi

FDG6332C

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

SOT-363-6(SC-70-6)

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

These N- and P-channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process, which is specially tailored to minimize on-state resistance while maintaining excellent switching performance. These devices are specifically designed to provide extremely low power consumption in an extremely small size, making them ideal for applications where the larger and more expensive TSSOP-8 and SSOP-6 encapsulation is not suitable.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 80892 PCS

Əlaqə məlumatı