onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
FDMC2610
N-Channel 200V 9.5A 2.2A N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mΩ
Hissə nömrəsi
FDMC2610
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
WDFN-8
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
This N-channel MOSFET is a rugged gate version of the advanced Power Trench process. This product is ideal for power management applications.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 70047 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
N-Channel 80V 64A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 64A, 6.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 60A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 60A, 7.8mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 51A 11A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80 V, 51 A, 10 mΩ
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərFDMC2610
FDMC2610 Elektron komponentlər
FDMC2610 Satış
FDMC2610 Təchizatçı
FDMC2610 Distribyutor
FDMC2610 Məlumat cədvəli
FDMC2610 Şəkillər
FDMC2610 Qiymət
FDMC2610 Təklif
FDMC2610 Ən aşağı qiymət
FDMC2610 Axtar
FDMC2610 Satınalma
FDMC2610 Çip