onsemi (Ansemi) FDMC86012 N-Channel, Power Trench MOSFET, 30V, 88A, 2.7mΩ

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

FDMC86012

N-Channel, Power Trench MOSFET, 30V, 88A, 2.7mΩ

Hissə nömrəsi

FDMC86012

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

PQFN-8

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

This device is specifically designed to improve the energy efficiency of DC-DC converters. Using novel techniques in the MOSFET structure, the individual components of gate charge and capacitance are optimized to reduce switching losses. Low gate resistance and very low Miller charge enable superior performance in adaptive and fixed dead-time gate drive circuits. Very low rDS(on) is maintained, providing a sub-logic level device.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 62624 PCS

Əlaqə məlumatı