onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
FDMS6673BZ
P-Channel 30V 82A P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -82A, 6.8mΩ
Hissə nömrəsi
FDMS6673BZ
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
Power-56-8
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
The FDMS6673BZ is suitable for minimizing losses in load switching applications. At the same time, it combines the development and progress of silicon and encapsulation technology to provide the lowest RDS(on) and ESD protection.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 74058 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərFDMS6673BZ
FDMS6673BZ Elektron komponentlər
FDMS6673BZ Satış
FDMS6673BZ Təchizatçı
FDMS6673BZ Distribyutor
FDMS6673BZ Məlumat cədvəli
FDMS6673BZ Şəkillər
FDMS6673BZ Qiymət
FDMS6673BZ Təklif
FDMS6673BZ Ən aşağı qiymət
FDMS6673BZ Axtar
FDMS6673BZ Satınalma
FDMS6673BZ Çip