onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
FDMS86200
N-Channel 150V 9.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 35A, 18mΩ
Hissə nömrəsi
FDMS86200
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
PDFN-8(4.9x5.8)
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
This N-channel MOSFET is produced using the advanced PowerTrench process, which is specially adapted to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 55803 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
N-Channel 80V 126A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 80V, 126A, 4.0mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 80V 84A 14A Power MOSFET 80V, Single N-Channel, 84A, 6.7mΩ, with Power 56 encapsulation.
onsemi (Ansemi)
N-Channel 40V 31.3A 100A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 40V, 100A, 1.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərFDMS86200
FDMS86200 Elektron komponentlər
FDMS86200 Satış
FDMS86200 Təchizatçı
FDMS86200 Distribyutor
FDMS86200 Məlumat cədvəli
FDMS86200 Şəkillər
FDMS86200 Qiymət
FDMS86200 Təklif
FDMS86200 Ən aşağı qiymət
FDMS86200 Axtar
FDMS86200 Satınalma
FDMS86200 Çip