onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
MBR2H200SFT1G 200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V

MBR2H200SFT1G

200V 2A 940mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 200 V
Hissə nömrəsi
MBR2H200SFT1G
Kateqoriya
diode > Schottky diode
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
SOD-123
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Ideal for applications employing freewheeling and polarity protected diodes where compact size and weight are critical to the system. Due to its small size, it is suitable for cellular and cordless phones, chargers, notebook computers and printers. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and any other application where performance and size are critical.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 59081 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərMBR2H200SFT1G
MBR2H200SFT1G Elektron komponentlər
MBR2H200SFT1G Satış
MBR2H200SFT1G Təchizatçı
MBR2H200SFT1G Distribyutor
MBR2H200SFT1G Məlumat cədvəli
MBR2H200SFT1G Şəkillər
MBR2H200SFT1G Qiymət
MBR2H200SFT1G Təklif
MBR2H200SFT1G Ən aşağı qiymət
MBR2H200SFT1G Axtar
MBR2H200SFT1G Satınalma
MBR2H200SFT1G Çip