onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
NGTD23T120F2WP Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 25A FS2 Die

NGTD23T120F2WP

Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 25A FS2 Die
Hissə nömrəsi
NGTD23T120F2WP
Kateqoriya
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
SMD
Qablaşdırma
bagged
Paketlərin sayı
1
Təsvir
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 80737 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərNGTD23T120F2WP
NGTD23T120F2WP Elektron komponentlər
NGTD23T120F2WP Satış
NGTD23T120F2WP Təchizatçı
NGTD23T120F2WP Distribyutor
NGTD23T120F2WP Məlumat cədvəli
NGTD23T120F2WP Şəkillər
NGTD23T120F2WP Qiymət
NGTD23T120F2WP Təklif
NGTD23T120F2WP Ən aşağı qiymət
NGTD23T120F2WP Axtar
NGTD23T120F2WP Satınalma
NGTD23T120F2WP Çip