Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

ALD1110EPAL

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Hissə nömrəsi

ALD1110EPAL

İstehsalçı/Brend

Advanced Linear Devices Inc.

Serial

EPAD®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

İşləmə temperaturu

0°C ~ 70°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Güc - Maks

600mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PDIP

FET növü

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

10V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

500 Ohm @ 5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.01V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2.5pF @ 5V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40204 PCS

Əlaqə məlumatı