Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
C3M0120100J
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Hissə nömrəsi
C3M0120100J
İstehsalçı/Brend
Serial
C3M™
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
SiCFET (Silicon Carbide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Təchizatçı Cihaz Paketi
D2PAK-7
Gücün Dağılması (Maks.)
83W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ İd
3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
21.5nC @ 15V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
350pF @ 600V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
15V
Vgs (Maks.)
+15V, -4V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 41069 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərC3M0120100J
C3M0120100J Elektron komponentlər
C3M0120100J Satış
C3M0120100J Təchizatçı
C3M0120100J Distribyutor
C3M0120100J Məlumat cədvəli
C3M0120100J Şəkillər
C3M0120100J Qiymət
C3M0120100J Təklif
C3M0120100J Ən aşağı qiymət
C3M0120100J Axtar
C3M0120100J Satınalma
C3M0120100J Çip