Diodes Incorporated DMG4N60SJ3 MOSFET NCH 600V 3A TO251

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DMG4N60SJ3

MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hissə nömrəsi

DMG4N60SJ3

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-251

Gücün Dağılması (Maks.)

41W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

532pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 44300 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMG4406LSS-13

MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO