Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7 MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DMN1053UCP4-7

MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Hissə nömrəsi

DMN1053UCP4-7

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

4-XFBGA, CSPBGA

Təchizatçı Cihaz Paketi

X3-DSN0808-4

Gücün Dağılması (Maks.)

1.34W

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

908pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12981 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3