Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-13 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DMN10H170SFDE-13

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Hissə nömrəsi

DMN10H170SFDE-13

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

U-DFN2020-6 (Type E)

Gücün Dağılması (Maks.)

660mW (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.9A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1167pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24571 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3