Diodes Incorporated DMN2005UFG-7 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

DMN2005UFG-7

MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Hissə nömrəsi

DMN2005UFG-7

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerDI3333-8

Gücün Dağılması (Maks.)

1.05W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

18.1A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

164nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

6495pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25934 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26