Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

DMN2014LHAB-7

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Hissə nömrəsi

DMN2014LHAB-7

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-UFDFN Exposed Pad

Güc - Maks

800mW

Təchizatçı Cihaz Paketi

U-DFN2030-6 (Type B)

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1550pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 51040 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26