Diodes Incorporated DMTH8012LPS-13 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

DMTH8012LPS-13

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Hissə nömrəsi

DMTH8012LPS-13

İstehsalçı/Brend

Diodes Incorporated

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerDI5060-8

Gücün Dağılması (Maks.)

2.6W (Ta), 136W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta), 72A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

34nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1949pF @ 40V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32359 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

DMTH10H005LCT

MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB