GeneSiC Semiconductor 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Hissə nömrəsi

1N1206A

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Chassis, Stud Mount

Paket / Çanta

DO-203AA, DO-4, Stud

Təchizatçı Cihaz Paketi

DO-4

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

12A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 12A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 50V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-65°C ~ 200°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 46971 PCS

Əlaqə məlumatı