Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
GA10JT12-263
TRANS SJT 1200V 25A
Hissə nömrəsi
GA10JT12-263
İstehsalçı/Brend
Serial
-
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tube
Texnologiya
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
İşləmə temperaturu
175°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
-
Təchizatçı Cihaz Paketi
-
Gücün Dağılması (Maks.)
170W (Tc)
FET növü
-
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
1200V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 10A
Vgs(th) (Maks) @ İd
-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
-
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
1403pF @ 800V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
-
Vgs (Maks.)
-
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 23036 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərGA10JT12-263
GA10JT12-263 Elektron komponentlər
GA10JT12-263 Satış
GA10JT12-263 Təchizatçı
GA10JT12-263 Distribyutor
GA10JT12-263 Məlumat cədvəli
GA10JT12-263 Şəkillər
GA10JT12-263 Qiymət
GA10JT12-263 Təklif
GA10JT12-263 Ən aşağı qiymət
GA10JT12-263 Axtar
GA10JT12-263 Satınalma
GA10JT12-263 Çip