GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247 IGBT 1200V SOT247

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GA35XCP12-247

IGBT 1200V SOT247

Hissə nömrəsi

GA35XCP12-247

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247AB

Əks Bərpa Müddəti (trr)

36ns

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

1200V

IGBT növü

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

35A

Enerjinin dəyişdirilməsi

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

Qapı yükü

50nC

Td (on/off) @ 25°C

Test Vəziyyəti

800V, 35A, 22 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 10654 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

GA352QR7GF101KW31L

CHIP MONOLITHIC CER CAP