GeneSiC Semiconductor KBP208G DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH KBP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

KBP208G

DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH KBP

Hissə nömrəsi

KBP208G

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-SIP, KBP

Təchizatçı Cihaz Paketi

KBP

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

800V

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 2A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 50V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 20602 PCS

Əlaqə məlumatı