GeneSiC Semiconductor KBP210G DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

KBP210G

DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP

Hissə nömrəsi

KBP210G

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-SIP, KBP

Təchizatçı Cihaz Paketi

KBP

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

1kV

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.1V @ 2A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 1000V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12660 PCS

Əlaqə məlumatı