GeneSiC Semiconductor MBR20030CT DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

MBR20030CT

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Hissə nömrəsi

MBR20030CT

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

Twin Tower

Təchizatçı Cihaz Paketi

Twin Tower

Diod növü

Schottky

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

650mV @ 100A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5mA @ 20V

Diod konfiqurasiyası

1 Pair Common Cathode

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

30V

Cari - Orta Rektifikasiya (Io) (diod başına)

200A (DC)

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43050 PCS

Əlaqə məlumatı