GeneSiC Semiconductor MBRTA600200R DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

MBRTA600200R

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER

Hissə nömrəsi

MBRTA600200R

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

Three Tower

Təchizatçı Cihaz Paketi

Three Tower

Diod növü

Schottky

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

920mV @ 300A

Cari - Əks Sızma @ Vr

4mA @ 200V

Diod konfiqurasiyası

1 Pair Common Anode

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

200V

Cari - Orta Rektifikasiya (Io) (diod başına)

300A

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7924 PCS

Əlaqə məlumatı