GeneSiC Semiconductor MURTA200120R DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

MURTA200120R

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hissə nömrəsi

MURTA200120R

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

Three Tower

Təchizatçı Cihaz Paketi

Three Tower

Diod növü

Standard

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

2.6V @ 100A

Cari - Əks Sızma @ Vr

25µA @ 1200V

Diod konfiqurasiyası

1 Pair Common Anode

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

1200V

Cari - Orta Rektifikasiya (Io) (diod başına)

100A

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40936 PCS

Əlaqə məlumatı