GeneSiC Semiconductor MURTA40060 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

MURTA40060

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hissə nömrəsi

MURTA40060

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Montaj növü

Chassis Mount

Paket / Çanta

Three Tower

Təchizatçı Cihaz Paketi

Three Tower

Diod növü

Standard

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.7V @ 200A

Cari - Əks Sızma @ Vr

25µA @ 600V

Diod konfiqurasiyası

1 Pair Common Cathode

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Cari - Orta Rektifikasiya (Io) (diod başına)

200A

Sürət

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 25913 PCS

Əlaqə məlumatı