Global Power Technologies Group GP1M005A050FSH MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GP1M005A050FSH

MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Hissə nömrəsi

GP1M005A050FSH

İstehsalçı/Brend

Global Power Technologies Group

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3 Full Pack

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220F

Gücün Dağılması (Maks.)

32W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.85 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

602pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 33269 PCS

Əlaqə məlumatı