Global Power Technologies Group GP1M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

GP1M023A050N

MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Hissə nömrəsi

GP1M023A050N

İstehsalçı/Brend

Global Power Technologies Group

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-3P-3, SC-65-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-3PN

Gücün Dağılması (Maks.)

347W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

500V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

66nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3391pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32596 PCS

Əlaqə məlumatı