Infineon Technologies AUIRL7766M2TR MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

AUIRL7766M2TR

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Hissə nömrəsi

AUIRL7766M2TR

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

HEXFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

DirectFET™ Isometric M4

Təchizatçı Cihaz Paketi

DIRECTFET™ M4

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

66nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5305pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 39251 PCS

Əlaqə məlumatı