Infineon Technologies AUIRS20161S IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

AUIRS20161S

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

Hissə nömrəsi

AUIRS20161S

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

Automotive, AEC-Q100

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tube

Giriş növü

Inverting

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC

Gərginlik - Təchizat

4.4 V ~ 6.5 V

Kanal Tipi

Single

İdarəetmə Konfiqurasiyası

High-Side

Sürücülərin sayı

Qapı Tipi

IGBT, N-Channel MOSFET

Məntiq gərginliyi - VIL, VIH

Cari - Pik Çıxış (Mənbə, Sink)

500mA, 500mA

Yüksək yan gərginlik - Maks (Bootstrap)

150V

Yüksəlmə / Payız vaxtı (tip)

200ns, 200ns

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 32596 PCS

Əlaqə məlumatı