Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSB056N10NN3GXUMA1

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Hissə nömrəsi

BSB056N10NN3GXUMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-WDSON

Təchizatçı Cihaz Paketi

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Gücün Dağılması (Maks.)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

9A (Ta), 83A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

74nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5500pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49041 PCS

Əlaqə məlumatı