Infineon Technologies BSC019N06NSATMA1 DIFFERENTIATED MOSFETS

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSC019N06NSATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

Hissə nömrəsi

BSC019N06NSATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-TDSON (5x6)

Gücün Dağılması (Maks.)

136W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

100A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.3V @ 74µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

77nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5.25nF @ 30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 40722 PCS

Əlaqə məlumatı