Infineon Technologies BSC046N10NS3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSC046N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Hissə nömrəsi

BSC046N10NS3GATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8

Gücün Dağılması (Maks.)

156W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

17A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

63nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4500pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50532 PCS

Əlaqə məlumatı