Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSC082N10LSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

Hissə nömrəsi

BSC082N10LSGATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Not For New Designs

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8

Gücün Dağılması (Maks.)

156W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

100V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

13.8A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

104nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

7400pF @ 50V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49840 PCS

Əlaqə məlumatı