Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1 MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSC084P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Hissə nömrəsi

BSC084P03NS3EGATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

14.9A (Ta), 78.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

8.4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

57.7nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4240pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35996 PCS

Əlaqə məlumatı