Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSC0910NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Hissə nömrəsi

BSC0910NDIATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TISON-8

FET növü

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

25V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A, 31A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4500pF @ 12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27970 PCS

Əlaqə məlumatı