Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSC123N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8

Hissə nömrəsi

BSC123N08NS3GATMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerTDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-TDSON-8

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 66W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11A (Ta), 55A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3.5V @ 33µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

25nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1870pF @ 40V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

6V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 44899 PCS

Əlaqə məlumatı