Infineon Technologies BSO211PNTMA1 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSO211PNTMA1

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

Hissə nömrəsi

BSO211PNTMA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

Təchizatçı Cihaz Paketi

P-DSO-8

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.7A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23.9nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

920pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35234 PCS

Əlaqə məlumatı