Infineon Technologies BSP125H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSP125H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Hissə nömrəsi

BSP125H6327XTSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT223-4

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

120mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 120mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.3V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

150pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 5016 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BSP100,135

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223