Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

BSP135H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Hissə nömrəsi

BSP135H6327XTSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

SOT-223-4

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Depletion Mode

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

120mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 120mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 94µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

146pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

0V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 38718 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BSP100,135

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223