Infineon Technologies BSP149L6327HTSA1 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

BSP149L6327HTSA1

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Hissə nömrəsi

BSP149L6327HTSA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

SIPMOS®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-261-4, TO-261AA

Təchizatçı Cihaz Paketi

PG-SOT223-4

Gücün Dağılması (Maks.)

1.8W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Depletion Mode

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

200V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

660mA (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14nC @ 5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

430pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

0V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 38864 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

BSP100,135

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223